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H04N60F

N-ChannelPowerFieldEffectTransistor

Description ThisadvancedhighvoltageMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationssuchaspowersupl

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

華昕華昕科技有限公司

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更多04N60I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-24 15:48:00

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