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120M1045中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

120M1045
廠商型號(hào)

120M1045

功能描述

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

文件大小

1.48644 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-4 16:38:00

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120M1045規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Very low switching losses

? Threshold-free on state characteristic

? Wide gate-source voltage range

? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V

? 0V turn-off gate voltage

? Fully controllable dv/dt

? Commutation robust body diode, ready for synchronous rectification

? Easy to use/drive due to sense (driver) source pin for better control of the gate

? Temperature independent turn-off switching losses

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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