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BFP193W

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFQ193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=7.5GHz F=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHzForlinearbroadbandamplifiers)

NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHzF=1.3dBat900MHz

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193

NPNSiliconRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193

NPNBipolarRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193F

NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193F

LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BFR193T

SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlarge-signalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

晶體管資料

  • 型號：

    193DT2

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    210V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    >85MHZ

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

    BD245F,2SC1586,2SD552,2SD583,

  • 最大耗散功率：

    85W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    210

  • htest：

    85000100

  • atest：

    10

  • wtest：

    85

產品屬性

  • 產品編號：

    193D

  • 制造商：

    Hammond Manufacturing

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    193

  • 包裝：

    散裝

  • 容差：

    ±15%

  • 屏蔽：

    無屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    75 歐姆

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    非標準

  • 大小 / 尺寸：

    2.500" 長 x 3.250" 寬（63.50mm x 82.55mm）

  • 高度 - 安裝（最大值）：

    3.060"（77.72mm）

  • 描述：

    FIXED IND 8H 150MA 75 OHM CHASS

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Hammond
2020+
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HAMMOND
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