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1ED2127S65F

650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features ?Infineonthin-film-SOI-technology ?Maximumblockingvoltage+650V ?Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A ?Maximumsupplyvoltageof25V ?Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode ?NegativeVStransientimmunityof100V ?Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

1ED2127S65FXUMA1

650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

Features ?Infineonthin-film-SOI-technology ?Maximumblockingvoltage+650V ?Outputsource/sinkcurrent+4A/-4A ?Maximumsupplyvoltageof25V ?Integratedultra-fast,lowRDS(ON)BootstrapDiode ?NegativeVStransientimmunityof100V ?Detectionofovercurrentandundervoltag

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多1ED2127S65F供應(yīng)商 更新時間2025-3-20 10:35:00

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