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1N6742中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

1N6742
廠商型號(hào)

1N6742

功能描述

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESOR

文件大小

60.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi美高森美

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-20 23:21:00

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1N6742規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Passivated mesa structure for very low leakage currents

? Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

? Low package inductance

? 5000 Watts peak power

? Very low thermal resistance

? Available as standard polarity (strap-to-anode) and

reverse “R” polarity (strap-to-cathode)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    1N6742

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱(chēng):

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MSCI
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢(xún)價(jià)
MICROCHIP(美國(guó)微芯)
24+
DO41
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