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APM2030N

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?20V/6A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?TO-252Package

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

?20V/6A,RDS(ON)=28m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesign ?ReliableandRugged ?LeadFreeAvailable(RoHSCompliant)

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?20V/6A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?TO-252Package

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N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?20V/6A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=38m?(typ.)@VGS=2.5V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?TO-252Package

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