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KSH210-251

SiliconPNPPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-25V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=-0.3V(Max)@IC=-0.5A APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多210-251P-BOARD供應商 更新時間2025-2-14 17:17:00