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2312-RC

High Current Toroid Inductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

2312-RC

High Current Toroid Inductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

2312-RC

High Current Toroid Inductors Horizontal or vertical mount

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

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High Current Toroid Inductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

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High Current Toroid Inductors

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

2312T

PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing

SYSTEMSENSOR

Systemsensor advanced ideas.

AM2312

MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES ?VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ ?Advancedtrenchprocesstechnology ?HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance ?Capableof2.5Vgatedrive ?Loweron-resistanc

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

AM2312N

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

AnalogPower

Analog Power

AP2312GN

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

APM2312

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?16V/5A,RDS(ON)=35m?(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45m?(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60m?(typ.)@VGS=1.8V ?SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) ?ReliableandRugged ?SOT-23Package Applications ?PowerManagementinNotebookComput

ANPECAnpec Electronics Coropration

茂達電子茂達電子股份有限公司

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更多2312-RC供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 14:59:00

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