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CEH2321

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEH2321A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-20V,-4.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■TSOP-6package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEH2321A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-4.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. TSOP-6package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEN2321A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEN2321B

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-3.9A,RDS(ON)=52mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=72mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2321

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55m?@VGS=-4.5V. RDS(ON)=80m?@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CES2321

P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CES2321

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=62mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CES2321A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-20V,-3.8A,RDS(ON)=55mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CES2321A

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -20V,-3.8A,RDS(ON)=55mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=75mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2321-V

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    電感器，線圈，扼流圈 > 固定電感器

  • 系列：

    2300

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    環(huán)形

  • 材料 - 磁芯：

    鐵粉

  • 容差：

    ±15%

  • 屏蔽：

    無(wú)屏蔽

  • DC 電阻 (DCR)：

    140 毫歐最大

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 105°C

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    徑向，垂直（開(kāi)放式）

  • 大小 / 尺寸：

    1.280" 直徑 x 0.650" 寬（32.51mm x 16.51mm）

  • 描述：

    FIXED IND 560UH 3.6A 140 MOHM TH

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多2321-V供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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