23A025分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
23A025 |
| 參數(shù)屬性 | 23A025 封裝/外殼為55BT；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT |
| 功能描述 | 2.5 Watts, 20 Volts, Class A Linear to 2300 MHz |
| 封裝外殼 | 55BT |
| 文件大小 |
32.93 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | GHz Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
GHZTECH |
| 中文名稱 | GHz Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-19 8:42:00 |
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23A025規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The 23A025 is a COMMON EMITTER transistor capable of providing 2.5 Watts of Class A, RF output power to 2300 MHz. This transistor is specifically designed for general Class A amplifier applications. It utilizes gold metalization and diffused ballasting to provide high reliability and supreme ruggedness.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
23A025
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
22V
- 頻率 - 躍遷：
3.7GHz
- 增益：
6dB ~ 6.3dB
- 功率 - 最大值：
9W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 420mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
1.2A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55BT
- 供應(yīng)商器件封裝：
55BT
- 描述：
RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美國微芯) |
2021+ |
PDIP-8 |
499 |
詢價 | |||
MicrochipTechnology |
18+ |
6580 |
ICSRAM1MBIT20MHZ8DIP |
詢價 | |||
ST |
24+ |
56 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價 | |||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55BT |
38550 |
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詢價 | ||
MICROCHIP(美國微芯) |
24+ |
PDIP8 |
7350 |
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詢價 | ||
MICROCHIP/微芯 |
25+ |
8-DIP |
880000 |
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詢價 | ||
Microchip |
21+ |
25000 |
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詢價 | |||
MICROCHIP(美國微芯) |
23+ |
PDIP-8 |
18800 |
公司只做原裝，可來電咨詢 |
詢價 | ||
MICROCHIP(美國微芯) |
2447 |
PDIP-8 |
315000 |
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詢價 | ||
Microchip |
24+ |
20000 |
全新、原裝、現(xiàn)貨 |
詢價 |
