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NP23N06YDG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP23N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=27mΩMAX.(VGS=10V,ID=11.5A) ?LowCiss:Ciss=1200pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Logicleveldrivetype ?Des

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

NP23N06YDG

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SG23N06DT

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTSirectifier Global Corp.

矽萊克半導(dǎo)體深圳市矽萊克半導(dǎo)體有限公司

SG23N06T

DiscreteIGBTs

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

SUD23N06

MOSFET

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

SUD23N06

SUD23N06

FEATURES VDS(V)=60V ID=30A(VGS=10V) RDS(ON)25m(VGS=10V) RDS(ON)30m(VGS=4.5V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

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更多23N06供應(yīng)商 更新時間2025-5-18 11:04:00