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256MBDDRSDRAM中文資料三星數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

256MBDDRSDRAM
廠商型號(hào)

256MBDDRSDRAM

功能描述

DDR SDRAM Specification Version 0.3

文件大小

658.68 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

51 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 17:30:00

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256MBDDRSDRAM規(guī)格書(shū)詳情

Key Features

Features

? Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

? Bidirectional data strobe(DQS)

? Four banks operation

? Differential clock inputs(CK and CK)

? DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

? MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

? All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

? Data I/O transactions on both edges of data strobe

? Edge aligned data output, center aligned data input

? LDM,UDM/DM for write masking only

? Auto & Self refresh

? 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

? Maximum burst refresh cycle : 8

? 66pin TSOP II package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    256MBDDRSDRAM

  • 制造商:

    SAMSUNG

  • 制造商全稱:

    Samsung semiconductor

  • 功能描述:

    DDR SDRAM Specification Version 0.3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MICRON/美光
20+PB
BGA
60
20+PB
詢價(jià)
NEC
24+
BGA
54
詢價(jià)
INTEL
19+
BGA
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠;
詢價(jià)
INTEL
16+
BGA
2500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
詢價(jià)
NEC
2023+
BGA
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
N/A
23+
80000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
N/A
23+
80000
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
詢價(jià)
INTEL
23+
BGA
1055
專業(yè)優(yōu)勢(shì)供應(yīng)
詢價(jià)
BGA
600
詢價(jià)
INTEL/英特爾
23+
BGA
3000
一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
詢價(jià)