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2N1100中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N1100
廠商型號

2N1100

功能描述

GE PNP POWER BJT

文件大小

77.66 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-11 16:34:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N1100

  • 別名:

    2N1100三極管、2N1100晶體管、2N1100晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    15A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2N2493,2N2155,2N2159,3AD57C,

  • 最大耗散功率:

    170W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    C-82

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    170

2N1100規(guī)格書詳情

Description: Ge PNP Power BJT

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    2N1100

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-36

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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