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2N1285中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N1285
廠商型號(hào)

2N1285

功能描述

GE PNP LO-PWR BJT

文件大小

81.02 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-16 15:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N1285

  • 別名:

    2N1285三極管、2N1285晶體管、2N1285晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.01A

  • 最大工作頻率:

    100MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

    AF124,AF125,AF200,2N3323,2N3324,2N3325,3AK32,

  • 最大耗散功率:

    0.12W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-51

  • vtest:

    40

  • htest:

    100000000

  • atest:

    0.01

  • wtest:

    0.12

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N1285

  • 制造商:

    NJSEMI

  • 制造商全稱:

    New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

  • 功能描述:

    GE PNP LO-PWR BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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