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2N1653中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N1653
廠商型號(hào)

2N1653

功能描述

DAP transistors are de-signed for efficient high current switching at high frequencies

文件大小

133.02 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-24 14:13:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N1653

  • 別名:

    2N1653三極管、2N1653晶體管、2N1653晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    2N1166,2N1167,2N2287,3AD47D,

  • 最大耗散功率:

    106W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-44

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    106

2N1653規(guī)格書詳情

The 2N1651, 2N1652, and 2N1653 DAP transistors are de-signed for efficient high current switching at high frequencies. The diffused base gives very low input resistance and high cutoff frequency while still maintaining high breakdown voltage. The low input resistance grive better circuit stabilization at high temperatures and greatly increases the maximum available power gain. These transistors are capable of switching up to 1600 watts.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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