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2N1724分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N1724
廠商型號(hào)

2N1724
參數(shù)屬性

2N1724 封裝/外殼為T(mén)O-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT
功能描述

NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR
封裝外殼

TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱
文件大小

59.81 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi【美高森美】

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-26 17:30:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N1724

  • 別名：

    2N1724三極管、2N1724晶體管、2N1724晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BLX19,2N3489,2N3492,3DK5A6,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

    β>20

  • 圖片代號(hào)：

    F-28

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    100

2N1724規(guī)格書(shū)詳情

NPN SILICON HIGH POWER TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/262

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N1724

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 系列：

    Military, MIL-PRF-19500/262

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    600mV @ 200mA，2A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    300μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 2A，15V

  • 工作溫度：

    175°C

  • 安裝類(lèi)型：

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-61

  • 描述：

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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