2N2369分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
2N2369 |
參數(shù)屬性 | 2N2369 封裝/外殼為T(mén)O-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:SMALL-SIGNAL BJT |
功能描述 | NPN switching transistor |
封裝外殼 | TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 |
文件大小 |
52.19 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
PHI【飛利浦】 |
中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-5-29 17:15:00 |
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2N2369規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION
NPN switching transistor in a TO-18 metal package.
FEATURES
? Low current (max. 200 mA)
? Low voltage (max. 15 V).
APPLICATIONS
? High-speed switching
? VHF amplification.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
2N2369
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
15V
- 功率 - 最大值:
680mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 10mA,1V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-18(TO-206AA)
- 描述:
SMALL-SIGNAL BJT
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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