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2N2604

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2604_1

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2604_15

PNP SILICON TRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國(guó)中央半導(dǎo)體

2N2604UB

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2605

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2605CSM

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1

SEME-LAB

Seme LAB

2N2605UB

PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2608

P-CHANNEL J-FET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2609

P-CHANNEL J-FET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N2609_08

P-CHANNEL J-FET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N2604

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_低噪放大 (ra

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    0.03A

  • 最大工作頻率:

    >30MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BC214,BC315,BC416,BC560,2N3798,2N3799,2SA970,2SA1016,2SA1038,2SA1039,2SA1136,3CG170A,

  • 最大耗散功率:

    0.4W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-8

  • vtest:

    60

  • htest:

    30000100

  • atest:

    0.03

  • wtest:

    0.4

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N2604

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 500μA,5V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AB,TO-46-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-46-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.03A TO46-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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