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PNP SILICON GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES PNPSILICONGENERALPURPOSEAMPLIFIERANDSWITCHES | MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics | MICRO-ELECTRONICS | ||
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR RADIATIONHARDENEDPNPSILICONSWITCHINGTRANSISTOR QualifiedperMIL-PRF-19500/291 | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
Silicon PNP Transistor Description SemicoaSemiconductorsoffers: ?ScreeningandprocessingperMIL-PRF-19500AppendixE ?JANlevel(2N2906AUBJ) ?JANTXlevel(2N2906AUBJX) ?JANTXVlevel(2N2906AUBJV) ?JANSlevel(2N2906AUBJS) ?QCItotheapplicablelevel ?100dievisualinspectionperMIL-STD-750method2 | Semicoa Semicoa Semiconductor | Semicoa | ||
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ?ExcellentDCCurrentGainLinearity. ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ?LowCollectorOutputCapacita | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | ||
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ●LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V,VEB=-3V. ●ExcellentDCCurrentGainLinearity. ●LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. ●LowCollector | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | ||
PNP Switching Transistors Features ?Highcurrent(max.600mA) ?Lowvoltage(max.60V) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司 | MCC | ||
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS THE2N2907,2N2907A,PN2907,PN2907AAREPNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORSFORGENERALPURPOSEAMPLIFIERSANDMEDIUMSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. | MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics | MICRO-ELECTRONICS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
通用型 （Uni）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.6A
- 最大工作頻率：
>200MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BC161,BC303,BSW23,BSV16,BSV82,BSW40,3CK9D,
- 最大耗散功率：
0.8W
- 放大倍數(shù)：
β=300
- 圖片代號：
C-40
- vtest：
60
- htest：
200000100
- atest：
0.6
- wtest：
0.8
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N2905A
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-205AD，TO-39-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-39
- 描述：
TRANS PNP 40V 0.6A TO39
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
S |
專業(yè)軍工 |
CAN |
860 |
只做原裝正品現(xiàn)貨授權(quán)貨源 |
詢價 | ||
MICROCHIP(美國微芯) |
24+ |
TO-39 |
977 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
CAN3 |
9700 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
CENTRAL |
24+ |
TO39 |
2813 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
CENTRAL |
21+ |
TO39 |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633 |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO-39 |
3000 |
原廠原裝正品 |
詢價 | ||
NJS |
23+ |
CAN |
16800 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
2013 |
TO-39 |
100 |
全新 |
詢價 |
