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2N2907ARUBG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N2907ARUBG
廠商型號(hào)

2N2907ARUBG

功能描述

Rad-hard 60 V, 0.6 A PNP transistor

文件大小

276.79 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-22 11:00:00

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2N2907ARUBG規(guī)格書詳情

Features

? Hermetic packages

? ESCC qualified

? 100 krad

Description

The 2N2907AHR is a bipolar transistor able to operate under severe environment

conditions and radiation exposure providing high immunity to total ionizing dose

(TID).

Qualified as per ESCC 5202/001 specification and available in LCC-3 and

UB hermetic packages, it is specifically recommended for space and harsh

environment applications and suitable for low current and high precision circuits such

preamplifiers, oscillators, current mirror configuration.

In case of discrepancies between this datasheet and the relevant agency

specification, the latter takes precedence.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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