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2N2919U/TR_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-陣列-微芯科技

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原廠料號：2N2919U/TR品牌：Microchip Technology

資料說明：TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

2N2919U/TR是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列。制造商MICROCHIP/微芯科技生產(chǎn)封裝3-SMD，無引線的2N2919U/TR晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列雙極晶體管陣列在同一封裝中包含兩個或更多的分立晶體管，這些晶體管可在電氣上完全隔離，也可在器件封裝內(nèi)部以某種形式互連。陣列中包含的器件具有相近或互補的特性，采用共同封裝可最大程度減小器件在工作過程中的溫差。

  • 芯片型號：

    2n2919u/tr

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    MICROCHIP【微芯科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Microchip Technology

  • 中文名稱：

    微芯科技股份有限公司

  • 資料說明：

    TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    2N2919U/TR

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    2 NPN（雙）

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 100μA，1mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    150 @ 1mA，5V

  • 功率 - 最大值：

    350mW

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    3-SMD，無引線

  • 供應商器件封裝：

    3-SMD

  • 描述：

    TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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