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2N2919U分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列規(guī)格書PDF中文資料

2N2919U
廠商型號(hào)

2N2919U

參數(shù)屬性

2N2919U 封裝/外殼為3-SMD,無(wú)引線;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-陣列;產(chǎn)品描述:TRANS 2NPN 60V 0.03A

功能描述

NPN SILICON DUAL TRANSISTOR

封裝外殼

3-SMD,無(wú)引線

文件大小

293.53 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 14:30:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N2919U

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 陣列

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    2 NPN(雙)

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    60V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 100μA,1mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 1mA,5V

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    3-SMD,無(wú)引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    3-SMD

  • 描述:

    TRANS 2NPN 60V 0.03A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
24+
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500
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