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2N3035中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N3035
廠商型號(hào)

2N3035

功能描述

N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS

文件大小

202.73 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 22:30:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3035

  • 別名:

    2N3035三極管、2N3035晶體管、2N3035晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    高速開關(guān) (SS)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    90V

  • 最大電流允許值:

    0.02A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2G072B,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-8

  • vtest:

    90

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.02

  • wtest:

    0.3

2N3035規(guī)格書詳情

DESIGNED FOR EXTREMELY-HIGH-SPEED, HIGH-CURRENT AVALANCHE-MODE SWITCHING APPLICATIONS

● Strobe-Pulse Generators

● Square-Wave Pulse Generators

● Memory-Core Drivers

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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