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COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 2N3055A,MJ15015-->NPN MJ15016,MJ2955A-->PNP 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR 60,120VOLTS 115,180WATTS | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·ComplementtotypeMJ2955A ·ExcellentSafeOperatingArea APPLICATIONS ·Forhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications ·Relayorsolenoiddrviers ·DC-DCconvertersinverters | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 BipolarNPNDevice. VCEO=60V IC=15A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
COMPLEMENTARY SILICON HIGH - POWER TRANSISTORS 2N3055A,MJ15015-->NPN MJ15016,MJ2955A-->PNP 15AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR 60,120VOLTS 115,180WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Complementary Silicon High-Power Transistors ThesePowerBasecomplementarytransistorsaredesignedforhighpoweraudio,steppingmotorandotherlinearapplications.Thesedevicescanalsobeusedinpowerswitchingcircuitssuchasrelayorsolenoiddrivers,dc?to?dcconverters,inverters,orforinductiveloadsrequiringhighersafeoper | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR NPNSILICONPOWERTRANSISTOR | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed BipolarNPNDevice. VCEO=60V IC=15A | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | ||
Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral?purposeswitchingandamplifierapplications. Features ?DCCurrentGain?hFE=20?70@IC=4Adc ?Collector?EmitterSaturationVoltage?VCE(sat | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral?purposeswitchingandamplifierapplications. Features ?DCCurrentGain?hFE=20?70@IC=4Adc ?Collector?EmitterSaturationVoltage?VCE(sat | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Complementary Silicon Power Transistors 15AMPEREPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON60VOLTS,115WATTS Complementarysiliconpowertransistorsaredesignedforgeneral?purposeswitchingandamplifierapplications. Features ?DCCurrentGain?hFE=20?70@IC=4Adc ?Collector?EmitterSaturationVoltage?VCE(sat | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
>2.5MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD130,BD317,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N5630,2N5631,2N6254,3DD17D,
- 最大耗散功率：
115W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
D-44
- vtest：
100
- htest：
2500100
- atest：
15
- wtest：
115
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N3055
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 3.3A，10A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
700μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
TO-204AA，TO-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 60V 15A TO3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M |
24+ |
TPO 3 |
157355 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Microchip Technology |
24+ |
TO-204AA,TO-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
LY |
15+ |
12940 |
TO-3 |
詢價(jià) | |||
ST |
21+ |
10560 |
十年專營,原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-3 |
66800 |
原廠授權(quán)一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力！ |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2410+ |
T0-3 |
5500 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-3 |
504001 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng) |
詢價(jià) | ||
ST |
2012+ |
TO-3 |
25000 |
詢價(jià) | |||
ST |
13+ |
TO-3 |
1888 |
原裝分銷 |
詢價(jià) |
