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2N3110中文資料MICRO-ELECTRONICS數據手冊PDF規(guī)格書

2N3110
廠商型號

2N3110

功能描述

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

文件大小

143.91 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Micro Electronics
企業(yè)簡稱

MICRO-ELECTRONICS

中文名稱

Micro Electronics官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-2-12 10:54:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N3110(S)

  • 別名:

    2N3110三極管、2N3110晶體管、2N3110晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >70MHZ

  • 引腳數:

    3

  • 可代換的型號:

    BC140,BSW65,BSX45,BSX46,BSX47,2N1990,

  • 最大耗散功率:

    0.8W

  • 放大倍數:

    β>40

  • 圖片代號:

    C-78

  • vtest:

    80

  • htest:

    70000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.8

2N3110規(guī)格書詳情

NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES

THE 2N3107 THROUGH 2N3110 ARE NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS FOR AF MEDIUM POWER DRIVERS AND OUPUTS, AS WELL AS FOR SWITCHING APPLICATIONS UP TO 1 AMPERE. THEY ARE COMPLEMENTARY TO THE PNP 2N4032, 2N4030.

產品屬性

  • 型號:

    2N3110

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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