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2N3637DCSM

DUAL PNP SILICON TRANSISTORS

SEME-LAB

Seme LAB

2N3637L

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637L

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637UB

PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637UB

RADIATION HARDENED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N3637UB

Package:3-SMD,無引線;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 175V 1A UB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N3637UB/TR

Package:3-SMD,無引線;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:TRANS PNP 175V 1A UB

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2N3637(S)

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    175V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    >150MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BFT19A,BFT19B,BFT28(A),BFT28(B),BFT28(C),2N5415,

  • 最大耗散功率:

    1W

  • 放大倍數(shù):

    β>100

  • 圖片代號:

    C-40

  • vtest:

    175

  • htest:

    150000100

  • atest:

    1

  • wtest:

    1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N3637

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN POWER SILICON TRANSISTORS

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更多2N3637供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 9:01:00