2N3646分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
2N3646 |
參數(shù)屬性 | 2N3646 封裝/外殼為TO-106-3 凸面鏡;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 15V 0.2A TO106 |
功能描述 | NPN SILICON SWITCHING TRANSISTORS |
封裝外殼 | TO-106-3 凸面鏡 |
文件大小 |
77.09 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
1 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-20 18:35:00 |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
2N3646三極管、2N3646晶體管、2N3646晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
開關(guān)管 (S)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
40V
- 最大電流允許值:
0.2A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號:
BSS10,BSS11,BSS26,BSS40,BSS41,BSV59,BSX19,BSX20,BSX49,2N2368(A),2N2369(A),2N3737,
- 最大耗散功率:
0.2W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
C-62
- vtest:
40
- htest:
999900
- atest:
0.2
- wtest:
0.2
2N3646規(guī)格書詳情
2N3646屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的2N3646晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N/PN3646, 2N5772 Series types are Silicon PNP Transistors designed for ultra high speed switching applications.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
2N3646
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 30mA,300mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
30 @ 30mA,400mV
- 頻率 - 躍遷:
350MHz
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-106-3 凸面鏡
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-106
- 描述:
TRANS NPN 15V 0.2A TO106
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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