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2N4233 | Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N4233 | Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | |
2N4233 | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N4233 | 包裝：散裝 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：PNP TRANSISTOR | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | |
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex=0. | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | ||
Power Transistors PowerTransistorsTO-66Case | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | ||
MEDIUM-POWER SILICON TRANSISTOR COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation. APPLICATIONS ?Designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARYSILICONMEDIUM-POWERTRANSISTORS ..designedforgeneral-purposepoweramplifierandswitchingapplications. FEATURES: *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.7V(Max.)@lc=1.5A *ExcellentDCCurrentGainhFE=25-100@lc=1.5A *LowLeakageCurrent-lcex= | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
90V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BD241B,BD243C,BD539C,BD601,BD609,BD937,2N3054,3DD30B,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
90
- htest：
4000100
- atest：
5
- wtest：
75
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N4233
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-66 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-66 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
TO-66 |
1000 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
20+ |
TO-66 |
67500 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價(jià) | ||
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