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2N5087分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N5087
廠商型號

2N5087

參數(shù)屬性

2N5087 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA);包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3

功能描述

Amplifier Transistor(PNP Silicon)
TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

文件大小

300.76 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-24 11:51:00

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晶體管資料

  • 型號:

    2N5087

  • 別名:

    2N5087三極管、2N5087晶體管、2N5087晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_低噪放大 (ra)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.05A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC214,BC416,BC560,2SA872(A),

  • 最大耗散功率:

    0.625W

  • 放大倍數(shù):

    β>250

  • 圖片代號:

    A-31

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.625

2N5087規(guī)格書詳情

2N5087屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N5087晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

Amplifier Transistor

PNP Silicon

Features

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N5087_J18Z

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100μA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    40MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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