2N5115JAN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N5115JAN |
| 參數(shù)屬性 | 2N5115JAN 封裝/外殼為TO-206AA，TO-18-3 金屬罐；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET P-CH 30V TO-18 |
| 功能描述 | P-Channel JFETs |
| 封裝外殼 | TO-206AA，TO-18-3 金屬罐 |
| 文件大小 |
28.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-6 9:06:00 |
| 人工找貨 | 2N5115JAN價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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2N5115JAN屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的2N5115JAN晶體管 - JFET結(jié)柵場效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
2N5115JAN02
- 制造商：
Vishay Siliconix
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝：
卷帶（TR）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-206AA，TO-18-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-206AA（TO-18）
- 描述：
JFET P-CH 30V TO-18
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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