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2N5179分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

2N5179
廠商型號

2N5179

參數(shù)屬性

2N5179 封裝/外殼為TO-206AF,TO-72-4 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

功能描述

NPN - RF Transistor Chip

封裝外殼

TO-206AF,TO-72-4 金屬罐

文件大小

450.73 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-15 17:24:00

晶體管資料

  • 型號:

    2N5179

  • 別名:

    2N5179三極管、2N5179晶體管、2N5179晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    甚高頻 (VHF)_超高頻/特高頻 (UHF)_低噪放大 (

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.05A

  • 最大工作頻率:

    1.4GHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

    BF357,BF377,BF378,BF689,BF763,BFR15,BFT17,BFT66,BFT67,BFW99,2N2857,2N5053,2N5054,3DG82A,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    D-13

  • vtest:

    20

  • htest:

    1400000000

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.2

2N5179規(guī)格書詳情

Small Signal Transistor

NPN - RF Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 14.5 x 14.5 MILS

Die Thickness 7.1 MILS

Base Bonding Pad Area 2.4 x 2.2 MILS

Emitter Bonding Pad Area 2.4 x 2.2 MILS

Top Side Metalization Al - 30,000?

Back Side Metalization Au - 18,000?

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N5179

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    4.5dB @ 200MHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    300mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 3mA,1V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AF,TO-72-4 金屬罐

  • 供應商器件封裝:

    TO-72

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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