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Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2N5190,2N5191,2N5192 ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Foruseinmediumpowerlinearandswitchingapplications | JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 錦美電子泉州錦美電子有限公司 | JMNIC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2N5190/5191/5192 ·Excellentsafeoperatingarea APPLICATIONS ·Foruseinmediumpowerlinearandswitchingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=-80V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):-1.4V(Max)@IC=-4A | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Monolithic N-Channel JFET Duals DESCRIPTION The2N5196/5197/5198/5199JFETdualsaredesignedforhigh-performancedifferentialamplificationforawiderangeofprecisiontestinstrumentationapplications.Thisseriesfeaturestightlymatchedspecs,lowgateleakageforaccuracy,andwidedynamicrangewithIGguaranteedatVD | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
P-CHANNEL JFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFETS monolithicdualn-channelJFETsdesignedfor..... ■DifferentialAmplifiers ■FETInputOpAmps BENEFITS ●MinimumSystemErrorandCalibration5mVMaximumOffset(2N196,97) ●LowDrift5μV/°CMaximum(2N5196) ●SimplifiesAmplifierDesignLowOutputConductance | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor ?DifferencialInputs AbsolutemaximumratingsatTA=25°C ReverseGateSource&GateDrainVoltage-50V ContinuousForwardGateCurrent50mA ContinuousDevicePowerDissipation300mW PowerDerating | InterFET InterFET Corporation | InterFET | ||
Monolithic N-Channel JFET Duals DESCRIPTION The2N5196/5197/5198/5199JFETdualsaredesignedforhigh-performancedifferentialamplificationforawiderangeofprecisiontestinstrumentationapplications.Thisseriesfeaturestightlymatchedspecs,lowgateleakageforaccuracy,andwidedynamicrangewithIGguaranteedatVD | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
P-CHANNEL JFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES | Intersil Intersil Corporation | Intersil | ||
N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor ?DifferencialInputs AbsolutemaximumratingsatTA=25°C ReverseGateSource&GateDrainVoltage-50V ContinuousForwardGateCurrent50mA ContinuousDevicePowerDissipation300mW PowerDerating | InterFET InterFET Corporation | InterFET |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
40V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
>2MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD185,BD195,BD291,BD437,BD785,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DD64B,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-21
- vtest：
40
- htest：
2000100
- atest：
4
- wtest：
40
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N5190
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.4V @ 1A，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 1.5A，2V
- 頻率 - 躍遷：
2MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-225AA，TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 40V 4A TO126
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
1087 |
詢價(jià) | ||||
MOTOROLA |
24+/25+ |
193 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON |
1738+ |
TO-126 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-126 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO126 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
SGS |
99 |
91 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中!! |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
22+ |
TO-126 |
50000 |
只做原裝假一罰十,歡迎咨詢 |
詢價(jià) |
