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2N5401

PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR

PNPEPITAXIALPLANARSILICONHIGHVOLTAGETRANSISTOR HighVoltagePNPTransistorForGeneralPurposeAndTelephonyApplications.

CDIL

Continental Device India Limited

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PNPSiliconAmplifierTransistor625mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

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PNPhigh-voltagetransistor

DESCRIPTION ?PNPhigh-voltagetransistor ?Lowcurrent(max.300mA) ?Highvoltage(max.160V) ?Complementsto2N5551. APPLICATIONS ?DesignedforSwitchingandamplification inhighvoltageapplications,suchastelephony applications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N5401

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistors forgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications. AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5550and2N5551arerecommended. Onspecialrequest,thesetransistorscanbemanufacturedindifferentpinconfigurations.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

2N5401

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES forgeneralpurpose,highvolt AscomplementarytypestheNPNtransistors2N5551are recommended. Lowcurrent(max.600mA),Highvoltage(max.160V)

HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰電子有限公司

2N5401

Generalpurposeamplifier

Description ?Generalpurposeamplifier ?Highvoltageapplication Features ?Highcollectorbreakdownvoltage: VCBO=-160V,VCEO=-160V ?Lowcollectorsaturationvoltage: VCE(sat)=-0.5V(MAX.) ?Complementarypairwith2N5551

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

2N5401

SERIES2NTRANSISTORS

SERIES2NTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5401

AMPLIFIERTRANSISTOR

PNPSilicon

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5401

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●SwitchingandAmplificationinHighVoltage ●ApplicationssuchasTelephony ●LowCurrent ●HighVoltage

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2N5401TFR_Q

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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ST(先科)
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更多2N5401TFR_Q供應(yīng)商 更新時間2025-5-5 10:06:00

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