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2N6035分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6035
廠商型號(hào)

2N6035
參數(shù)屬性

2N6035 封裝/外殼為TO-225AA，TO-126-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
功能描述

COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
封裝外殼

TO-225AA，TO-126-3
文件大小

346.52 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-6 17:19:00
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晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N6035

  • 別名：

    2N6035三極管、2N6035晶體管、2N6035晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD262,BD676,BD678,BD778,

  • 最大耗散功率：

    40W

  • 放大倍數(shù)：

    β>750

  • 圖片代號(hào)：

    B-21

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    40

2N6035規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6034, 2N6037 series devices are complementary silicon Darlington power transistors, manufactured by the epitaxial base process, designed for general purpose amplifier and switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N6035G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3V @ 40mA，4A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 2A，3V

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-225AA，TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-126

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 60V 4A TO126

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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