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2N6041 | POWER TRANSISTORS(10A,80W) ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 =100V(Min)–2N6042,2N6045 ?Collecto | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6041 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Plasticmedium?powercomplementarysilicontransistorsaredesignedforgeneral?purposeamplifierandlow?speedswitchingapplications. Features ?HighDCCurrentGain?hFE=2500(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector?EmitterSustainingVoltage?@100mAdc? VCEO(sus)=60Vdc(M | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6041 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. FEATURES: ?Collector–EmitterSustainingVoltage- VCEO(sus)=60V(Min)–2N6040,2N6043 =80V(Min)–2N6041,2N6044 | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6041 | NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N5294,5296and5298typesaresiliconNPNtransistorsthataremanufacturedbytheepitaxialbaseprocessanddesignedforapplicationsthatrequirepoweramplifierandmediumswitchingcapablilites. | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6041 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR2N6040and2N6043SeriestypesareComplementarySiliconPowerTransistors,manufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforgeneralpurposeamplifierapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
2N6041 | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-4A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-80V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-2.0V(Max)@IC=-4A ?ComplementtoType2N6044 APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6041 | POWER DERATING COMPLEMENTARYSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6041 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central | |
Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 | CentralCentral Semiconductor Corp 美國(guó)中央半導(dǎo)體 | Central |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
8A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD648,BD700,BD900,BDW74B,BDX54B,FC75B,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
B-45
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
75
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2N6041
- 功能描述：
達(dá)林頓晶體管 PNP Darl SW
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶體管極性：
NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
50 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
集電極—基極電壓
- 最大直流電集電極電流：
0.5 A
- 最大工作溫度：
+ 150 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
SOIC-18
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
24+ |
TO-220 |
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NA |
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