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COMPLEMENTARY POWER DARLINGTON COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTON The2N6053isasiliconepitaxialbasePNPtransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryNPNtypeisthe2N6055 | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
Power Transistors PowerTransistors | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商 | ETC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON ·Complementtotype2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purposepoweramplifierandlowfrequencyswithingapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
POWER TRANSISTORS(8A,100W) 2N6053,2N6054->PNP 2N6055,2N6056->NPN DARLINGTOPN8AMPERECOMPLEMEMTARYSILICONTRANSISTORS60-80Volts100Watts | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | ||
Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Lowcollectorsaturationvoltage ·DARLINGTON ·Complementtotype2N6053;2N6054 APPLICATIONS ·General-purposepoweramplifierandlowfrequencyswithingapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | ||
NPN Darlington Silicon Power Transistor DARLINGTON8AMPERESILICONPOWERTRANSISTOR80VOLTS100WATTS ...designedforgeneral–purposeamplifierandlowfrequencyswitchingapplications. ?HighDCCurrentGain— hFE=3000(Typ)@IC=4.0Adc ?Collector–EmitterSustainingVoltage—@100mA VCEO(sus)= | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DARLINGTON8AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 60-80VOLTS75,100WATTS | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | ||
POWER TRANSISTORS(12A,150W) DARLINGTON12AMPERECOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS60-100VOLTS150WATTS ...designedlorgeneral-purposepoweramplifierandlowfrequencyswitchingapplications FEATURES: *MonolithicConstructionwithButt-inBase-EmitterShuntResistors. *HighDCCurrentGain- | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
12A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDV66A,BDW84B,BDX64A,BDX66A,BDX88B,MJ4031,TIP646,
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
150
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6051
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
24+/25+ |
19 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
1500 |
原裝鐵帽專營(yíng),代理渠道量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
96 |
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00+ |
TO-3 |
100 |
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詢價(jià) |
