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2N6438 | POWER TRANSISTORS(25A,200W) HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGain hFE=20-80?lc=10A =12(Min)?lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltage VCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB | MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
2N6438 | POWER TRANSISTORS PNP SILICON High-PowerPNPSiliconTransistors ...designedforuseinindustrial–militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. ?HighCollector–EmitterSustainingVoltage—VCEO(sus)=100Vdc(Min)—2N6437=120Vdc(Min)—2N6438 ?HighDCCurrentGain—hFE=20–80@IC=10Adc=12( | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | |
2N6438 | HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGainhFE=20-80?lc=10A=12(Min)?lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto | bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
2N6438 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?HighDCcurrentgain ?Fastswitchingtimes ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS ?Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6438 | HIGH POWER PNP SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION DesignedforuseinIndustrial-MilitaryPowerAmplifierandSwitchingCircuitApplications | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
2N6438 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3package ?HighDCcurrentgain ?Fastswitchingtimes ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2N6338~2N6341 APPLICATIONS ?Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6438 | HIGH-POWER PNP SILICON TRANSISTORS HIGH-POWERPNPSILICONTRANSISTORS ...designedforuseinindustrialpoweramplifiersandswitchingcircuitapplications. FEATURES: *HighDCCurrentGainhFE=20-80?lc=10A=12(Min)?lc=25A *LowCollector-EmitterSaturationVoltageVCB(sat)=1.0V(Max.)@lc=10A,IB=1.0A *Complementto2N | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
2N6438 | isc Silicon PNP Power Transistor FEATURES ·Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-120V(Min) ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)@IC=-10A DESCRIPTION ·Designedforuseinpoweramplifierandswitchingcircuits applications. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
2N6438 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
2N6438 | High-Power PNP Silicon Transistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
140V
- 最大電流允許值：
25A
- 最大工作頻率：
>40MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
2N6379,
- 最大耗散功率：
200W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
140
- htest：
40000100
- atest：
25
- wtest：
200
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N6438
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
MOTOROLA |
24+ |
TO-3 |
1200 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
BOCA |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價 | ||
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
MOTOROLA |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
1200 |
原裝鐵帽專營,代理渠道量大可訂貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
專業(yè)鐵帽 |
TO-3 |
67500 |
鐵帽原裝主營-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
Microsemi |
1942+ |
N/A |
908 |
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詢價 | ||
MICROSEMI |
1809+ |
SMD |
26 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
MICROSEMI |
9952 |
20 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | |||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳 |
詢價 |
