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2N6660X

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N6661

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

SUTEX

Supertex, Inc

2N6661

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

2N6661

N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2N6661_10

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

2N6661_11

N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2N6661-2

N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2N6661JANTX

N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2N6661JANTXV

N-Channel 90 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

2N6661M1A

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N660

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-9

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.2

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2N66

  • 功能描述:

    alloy-junction germanium transistors

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2N66供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-23 13:30:00