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2N6668分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N6668
廠商型號(hào)

2N6668

參數(shù)屬性

2N6668 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

功能描述

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

151.62 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-21 9:00:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6668

  • 別名:

    2N6668三極管、2N6668晶體管、2N6668晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD648,BD900,BDW74B,BDX54B,

  • 最大耗散功率:

    65W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號(hào):

    B-84

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    65

2N6668規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: hFE = 1000(Min)@ IC= -5A

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = -80V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -2.0V(Max)@ IC= -5A

·Complement to Type 2N6388

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N6668

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    PNP - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 100mA,10A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    1mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 5A,3V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 80V 10A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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