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2N6730

SI PNP POWER BJT

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 2N6716,2N6728SeriestypesareComplementarySiliconPlasticPowerTransistorsdesignedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6730

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES *100VoltVCEO *Gainof20atIC=0.5Amp *Ptot=1Watt

DIODES

Diodes Incorporated

2N6730

COMPLEMENTARY SILICON

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 2N6716,2N6728SeriestypesareComplementarySiliconPlasticPowerTransistorsdesignedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6730

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS

FEATURES *100VoltVCEO *Gainof20atIC=0.5Amp *Ptot=1Watt

Zetex

Zetex Semiconductors

2N6731

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

DIODES

Diodes Incorporated

2N6731

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6731

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

Zetex

Zetex Semiconductors

2N6732

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

Zetex

Zetex Semiconductors

2N6732

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

DIODES

Diodes Incorporated

2N6732

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

FEATURES *80VoltVCEO *Gainof100atIC=350mA *Ptot=1Watt

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N6730

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    2A

  • 最大工作頻率:

    >50MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    BD530,2SB957,2SB958,3CA3D,

  • 最大耗散功率:

    1.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    A-80

  • vtest:

    100

  • htest:

    50000100

  • atest:

    2

  • wtest:

    1.2

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2N673

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT POWER TRANSISTOR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多2N673供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-4 17:06:00