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零件編號	下載訂購	功能描述/絲印	制造商上傳企業(yè)	LOGO
2N7002_	文件：237.13 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002-01	文件：63.29 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowOn-Resistance:RDS(ON) ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002-215	文件：159.74 Kbytes Page：13 Pages	60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology Featuresandbenefits ●Suitableforlogiclevelgatedrivesources ●Veryfastswitching ●Surface-mountedpackage ●TrenchMOSFETtechnology Applications ●Log	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
2N7002A	文件：561.25 Kbytes Page：4 Pages	Marking：WB；Package：SOT-23；N CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR INTERFACEANDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES ?HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). ?Voltagecontroolledsmallsignalswitch. ?Ruggedandreliable. ?Highsaturationcurrentcapablity.	KECKEC CORPORATION KEC株式會社	KEC
2N7002A	文件：603.85 Kbytes Page：6 Pages	Marking：7002A；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary ●VDS60V ●ID340mA ●RDS(ON)(atVGS=10V)	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚州揚杰電子揚州揚杰電子科技股份有限公司	YANGJIE
2N7002A	文件：154.02 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits ?N-Cha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002A-7	文件：154.02 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. ?MotorControl ?PowerManagementFunctions FeaturesandBenefits ?N-Cha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
2N7002-AE3-R	文件：148.68 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2N7002usesadvancedtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES HighDensityCellDesignforLowRDS(ON). VoltageControlledSmallSigna	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N7002AK	文件：965.81 Kbytes Page：5 Pages	Marking：NJ；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement MOSFET HighSpeedSwitchingApplications ESDprotectedgate LowON-resistance RDS(on)=2.8Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(on)=3.1Ω(typ.)(@VGS=5V) RDS(on)=3.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
2N7002AKQB-Q	文件：301.46 Kbytes Page：15 Pages	Marking：QK；Package：DFN1110D-3；60 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1110D-3 (SOT8015)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?ExtendedtemperaturerangeTj=175	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
2N7002E
制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
包裝：
管件
描述：
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市恒創(chuàng)達實業(yè)有限公司	2N7002W	FAIRCHILD	17+	NA	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價
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更多2N7002_供應(yīng)商更新時間2025-4-9 16:00:00

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