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2N7369

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

2N7369

Package:TO-254-3,TO-254AA;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N7369JAN

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

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2N7369JANTX

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

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2N7369JANTXV

PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

MicrosemiMicrosemi Corporation

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晶體管資料

  • 型號:

    2N7369

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    10A

  • 最大工作頻率:

    <300MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    299970000

  • atest:

    10

  • wtest:

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    2N7369

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/621

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5mA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 1A,2V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-254-3,TO-254AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-254

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2N7369供應(yīng)商 更新時間2025-2-15 10:57:00