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2SA1241

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SC3076

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241

Marking：A1241；Package：SC-64；Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ·Hightransitionfrequency ·Complementaryto2SC3076 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1241

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ·Hightransitionfrequency ·Complementaryto2SC3076 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1241

TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SC3076

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241

Power Amplifier Applications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?LowCollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Excellentswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Complementaryto2SC3076

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241

Power Amplifier Applications Power Switching Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1241-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ·Hightransitionfrequency ·Complementaryto2SC3076 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1241-252

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=-50V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=70(Min)@IC=-0.5A ·Hightransitionfrequency ·Complementaryto2SC3076 APPLICATIONS ·Poweramplifierapplications ·Driverstageamplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SA1241

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1096,2SB1182,2SB1201,2SB1202,2SB1215,2SB1216,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    50

  • htest：

    100000000

  • atest：

    2

  • wtest：

    10

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SA1241

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORSC-64 -50V -2A 1W BCE

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
24+
TO252
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
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TO-252
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專業(yè)優(yōu)勢供應
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東芝
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只做原裝公司現(xiàn)貨
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東芝
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TO-251252
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三洋
24+
TO-251/252
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原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢
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更多2SA1241供應商 更新時間2025-2-6 16:15:00

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