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2SA1312分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2SA1312
廠商型號(hào)

2SA1312

參數(shù)屬性

2SA1312 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

功能描述

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

314.51 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-6 15:05:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2SA1312

  • 別名:

    2SA1312三極管、2SA1312晶體管、2SA1312晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_通用型 (Uni)_低噪放大 (ra

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    2SA812,2SA1338,2SB7921,2SB814,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    H-15

  • vtest:

    120

  • htest:

    100000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

2SA1312規(guī)格書(shū)詳情

Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications

? High voltage: VCEO= ?120 V

? Excellent hFElinearity: hFE(IC= ?0.1 mA)/ hFE(IC= ?2 mA) h= 0.95 (typ.)

? High hFE: hFE= 200~700

? Low noise: NF (2) = 0.2dB (typ.), 3dB (max) at f = 1 kHz

? Complementary to 2SC3324

? Small package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SA1312GRTE85LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,6V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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