首頁 >2SA17>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

2SA1700

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

FEATURES ●Highbreakdownvoltage. ●AdoptionofMBITprocess. ●ExcellenthFElinearity.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SA1700

Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features Highbreakdownvoltage,adoptionofMBITprocessexcellenthFElinearity Applications Highvoltagedriverapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍箭電子佛山市藍箭電子股份有限公司

2SA1700

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?Highbreakdownvoltage ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Forhighvoltagedriverapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1700

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1700

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Highbreakdownvoltage ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Forhighvoltagedriverapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SA1700

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●HighBreakdownVoltage ●AdoptionofMBITProcess ●ExcellenthFELinearity

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA1700

High-Voltage Driver Applications

High-VoltageDriverApplications Features ?Highbreakdownvoltage. ?AdoptionofMBITprocess. ?ExcellenthFElinearity.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SA1700

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA1700

HIGH VOLTAGE DRIVER APPLICATION

HIGHVOLTAGEDRIVERAPPLICATION ■FEATURES *Highbreakdownvoltage. *ExcellenthFElinearity.

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SA1700

TRANSISTOR (NPN)

TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-200mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:-400V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SA1774

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低噪放大 （ra）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    140MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SB1462,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    50

  • htest：

    140000000

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SA17

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 60V PNP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM
0832+
SOT
2556
原裝現(xiàn)貨只有原裝
 詢價
ROHM/羅姆
22+
SOT
9850
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
 詢價
ROHM/羅姆
20+
SOT-523
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
CJ/長電
2021+
SOT-523
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
CJ/長晶
24+
SOT-523
30000
長晶全系列二三極管原裝優(yōu)勢供應,歡迎詢價
 詢價
ROHM/羅姆
24+
SOT416
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價
ROHM
2024
SOT523
58209
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價
CJ
17+
SMD
3000
全新、原裝
 詢價
ON
11+
5670
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
ROHM
24+
SOT-523
41488
新進庫存/原裝
 詢價
更多2SA17供應商 更新時間2025-2-11 12:12:00

相關規(guī)格書

更多

相關庫存

更多