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2SA733-Q	文件：445.14 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features ?Capableof0.25WattsofPowerDissipation. ?Collector-current0.1A ?Collector-baseVoltage60V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55℃to+150℃ ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffix	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
2SA733-Q	文件：411.6 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPlastic-EncapsulateTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
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2SA733T	文件：293.58 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES Powerdissipation PACKAGEINFORMATION Weight:0.2100g(Approximately)	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SA733T-L	文件：959.85 Kbytes Page：7 Pages	LowFrequencyAmplifierPNPEpitaxialSiliconTransistor	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SA733-P(A)
制造商：
Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	2SA733P_D26Z	Fairchild	23+		33500		詢價
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深圳市卓越微芯電子有限公司	2SA733PFETO-92	長電	2020+	TO-92	119000	百分百原裝正品真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
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更多2SA733-P(A)供應(yīng)商更新時間2025-2-15 14:50:00

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