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2SB1031

SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING

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HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SB1031

Complement to Type 2SD1435

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-8A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-100V(Min) ?ComplementtoType2SD1435 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2SB1031

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=-8A ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=-100V(Min) ?ComplementtoType2SD1435 APPLICATIONS ?Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

2SB1031K

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER COMPLEMENTARY PAIR WITH 2SD1435K

SILICONPNPEPITAXIAL LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIER COMPLEMENTARYPAIRWITH2SD1435K

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1031

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    15A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDV66A,BDW84C,2SB969,

  • 最大耗散功率：

    100W

  • 放大倍數(shù)：

    β>1000

  • 圖片代號：

    B-46

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    15

  • wtest：

    100

詳細參數(shù)

  • 型號：

    2SB1031

  • 制造商：

    HITACHI

  • 制造商全稱：

    Hitachi Semiconductor

  • 功能描述：

    SILICON NPN EPITAXIAL LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER HIGH CURRENT SWITCHING

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
HITACHI
24+
TO-247
1260
詢價
HIT
1738+
TO-3P
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價
HITACHI
22+
TO-3P
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
日立
22+
NA
3200
詢價
HITACHI/日立
22+
TO-3P
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
HITACHI
24+
TO-3P
12300
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
HITACHI/日立
23+
TO-3P
6500
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
日立
15+
TO-247
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應
 詢價
日立
23+
TO-247
3000
全新原裝
 詢價
TOS
23+
TO
20000
正品原裝貨價格低
 詢價
更多2SB1031供應商 更新時間2025-4-1 16:30:00

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