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2SB1150

PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DESCRIPTION The2SB1150isadarlingtontransistorbuilt-inazenerdiodeatB-CandadumperdiodeatE-C. ItissuitableforusetooperatefromICwithoutpredriver,suchashammerdriver.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

晶體管資料

  • 型號:

    2SB1150

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍數(shù):

    β=10000

  • 圖片代號:

    B-21

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    15

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SB1150

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

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