首頁 >2SB1260>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

2SB1260-Q

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:ICM=-1A ?Collector-basevoltage:V(BR)CBO

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1260-Q-AB3-B

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-Q-AB3-K

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-Q-AB3-R

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-Q-TN3-B

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-Q-TN3-K

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-Q-TN3-R

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-R

PNP Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Powerdissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ?Collectorcurrent:ICM=-1A ?Collector-basevoltage:V(BR)CBO

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SB1260-R-AB3-B

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1260-R-AB3-K

POWER TRANSISTOR

POWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SB1260isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *Highbreakdownvoltageandhighcurrent.BVCEO=-80V,IC=-1A *GoodhFElinearity. *LowVCE(SAT)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    2SB1260

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    80V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    100MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1364,2SA1416,2SB766A,2SB803,2SB804,2SB1025,2SB1026,BCX53,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-100

  • vtest：

    80

  • htest：

    100000000

  • atest：

    1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SB1260

  • 制造商：

    ROHM Semiconductor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CJ
19+
SOT-89
9000
詢價
長電/長晶
23+
SOT-89
30000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
CJ/長晶
20+
SOT-89
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ROHM/羅姆
23+
SOT89
35680
只做進(jìn)口原裝QQ:373621633
 詢價
ROHMCJ
2024
SOT-89
58209
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價
ROHM
24+
SOT-89
7200
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價
ROHM
2016+
SOT89
6000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
ROHM
23+
SOT89
11092
詢價
ROMH
2020+
SOT-89
1126
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ROHM
24+
SOT-89
5000
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價
更多2SB1260供應(yīng)商 更新時間2025-5-1 16:04:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多