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2SC2878A

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighEmitter-BaseVoltage ●LowOnResistance

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

2SC2878A

0.3A, 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor

FEATURES ?LowOnResistance ?HighEmitter-BaseVoltage ?HighReversehFE>30(typ.)VCE=-2V,IC=-4mA.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SC2878-A

For Muting and Switching Applications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2878B

For Muting and Switching Applications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2878-B

For Muting and Switching Applications

ForMutingandSwitchingApplications ?Highemitter-basevoltage:VEBO=25V(min) ?HighreversehFE:ReversehFE=150(typ.)(VCE=?2V,IC=?4mA) ?Lowonresistance:RON=1?(typ.)(IB=5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2879

TRANSISTOR (2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)(LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=?24dB(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2879

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASI2SC2879isa12.5VtransistordesignedprimarilyforSSBlinearpoweramplifierapplicationsupto28MHz. FEATURES: ?PG=13Typ.min.at100W/28MHz ?IMD3=-24dBcmax.at100W(PEP) ?Omnigold?MetalizationSystem

ASI

Advanced Semiconductor

2SC2879A

SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE 2~30MHz SSB LINEAR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS (LOW SUPPLY VOLTAGE USE)

2~30MHzSSBLINEARPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS (LOWSUPPLYVOLTAGEUSE) ●Specified12.5V,28MHzCharacteristics ●OutputPower:Po=100WPEP ●PowerGain:Gp=13dB ●CollectorEfficiency:ηC=35(Min.) ●IntermodulationDistortion:IMD=?24dB(Max.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2880

TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS)

HighVoltageSwitchingApplications Highvoltage:VCEO=150V Hightransitionfrequency:fT=120MHz Smallflatpackage PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) Complementaryto2SA1200

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

2SC2880

High Voltage Switching Applications

■Features ●HighVoltage:VCEO=150V ●HighTransitionFrequency ●SmallFlatPackage ●Complementaryto2SA1200

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SC2804

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    超高頻/特高頻 （UHF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.02A

  • 最大工作頻率：

    900MHZ

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號(hào)：

    2SC1070,2SC2144,2SC2360(H),2SC2464,2SC2360,2SC2466,2SC3602,

  • 最大耗散功率：

    0.2W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    G-59

  • vtest：

    25

  • htest：

    900000000

  • atest：

    0.02

  • wtest：

    0.2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
24+
90000
詢價(jià)
NEC
23+
CAN
4625
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
 詢價(jià)
NEC
24+
NA
5000
只做原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TOSHIBA
20+
標(biāo)準(zhǔn)
52000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢價(jià)
NEC
23+
NA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
9048
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道?？商峁┐罅繋?kù)存,詳
 詢價(jià)
TOSHIBA
NA
8560
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
TOS
23+
TO
20000
正品原裝貨價(jià)格低
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
25+
NA
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
24+
NA/
4250
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
 詢價(jià)
更多2SC28供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-9 16:30:00

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